где: П – кристалл полупроводника (кремний n-типа);

р-n – переход с контактным электрическим полем Ек;

М₁ – металлический контакт с р-областью (алюминий);

М₂ - металлический контакт с n-областью (алюминий);

d – глубина залегания р-n перехода (не более 10 мКм);

RH – сопротивление нагрузки внешней цепи.

Например, работа выхода электрона из полупроводника n-типа составляет 4,25 эВ, р-типа – 5,25 эВ, из алюминия – 4,25 эВ. Поэтому, контакт М₂ с полупроводником n-типа является оммическим и не влияет на работу преобразователя, а контакт М₁ с полупроводником р-типа является инжектирующим.

Под действием сил теплового движения и в результате различия работ выхода, электроны из металлического контакта М₁ будут инжектироваться в р-область полупроводника. Часть электронов рекомбинирует с дырками р-области кристалла, а остальная часть электронов будет перебрасываться электрическим полем р-n перехода Ек в n-область кристалла. При этом n-область полупроводникового кристалла и контакт М₂ будут заряжаться отрицательно, а контакт М₁, из-за ухода из него электронов, - положительно, что в итоге приведет к возникновению разности электрических потенциалов между контактами М₁ и М₂.

Поток электронов из М₁ в М₂ будет иметь место до тех пор, пока возрастающее электрическое поле между контактами не вызовет встречный поток электронов из n-области в р-область кристалла из-за снижения потенциального барьера р-n перехода. Когда эти токи электронов сравняются, в изолированном кристалле установится электрическое и термодинамическое равновесие. При этом между контактами М₁ и М₂ установится разность потенциалов равная половине контактной разности потенциалов p-n перехода (в данном случае – 0,55В), что означает наличие между ними Э.Д.С. (холостого хода).

Если замкнуть контакты М₁ и М₂ внешним металлическим проводником с сопротивлением RH, то электрическое и термодинамическое равновесие полупроводникового кристалла нарушится и в цепи нагрузки потечет электрический ток I RH. При этом p-n переход будет охлаждаться, т. к. энергия электронов переходящих из р-области в n-область полупроводника будет увеличина за счет внутренней (тепловой) энергии кристаллической решетки полупроводника. Для поддержания в цепи нагрузки постоянного по величине тока к нему необходимо подводить теплоту от окружающей среды – Qo.c.

г. Желтые Воды, Украина.

Для контактов: E-mail zernij @ hotmail.com

Тел. 05652-5-50-80

Приложение

где: П – полупроводник – кремний n-типа толщиной Д (200-400 мКм);

р-n – переход выполнить с одной стороны методом диффузии акцепторной примеси на глубину d (не более 10 мКм);

М₁ М₂ - металлические контакты (алюминий) выполнить методом вакуумного напыления.

Площадь структуры – не менее 100 мм² .

1. Полупроводник – кремний n-типа с концентрацией донорной примеси

Ng __________________ толщиной _________ мКм, площадью _______ мм² .

2. р-n переход выполнен, с одной стороны, методом диффузии акцепторной

примеси _______, на глубину _______ мКм с поверхностной концентрацией

акцепторов _______________________.

3. Металлические контакты выполнены методом вакуумного напыления

металла – алюминия толщиной _______ мКм.

4. Количество структур _______ шт.